HN1A01FU-GR(TE85L)
HN1A01FU-GR(TE85L)
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

HN1A01FU-GR(TE85L)

基本信息

  • 型号: HN1A01FU-GR (TE85L)
  • 制造商: 东芝(TOSHIBA)
  • 封装类型: SOT23-6(小型表面贴装晶体管封装)

 

技术规格

  • 制造工艺:
    • 使用了先进的半导体工艺,确保了器件的高性能和可靠性。
  • 工作电压:
    • VDS(漏源极间最大耐压):30V
    • VGS(栅源极间最大耐压):±8V
  • 工作温度范围:
    • TJ(结温):-55°C 至 +150°C
  • 导通电阻:
    • RDS(on) 最大值在 VGS = 4.5V 时约为 90 mΩ,在 VGS = 10V 时约为 70 mΩ。

 

主要功能

  • 低导通电阻:
    • 在给定的栅极驱动条件下提供较低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高效率。
  • 快速开关特性:
    • 具有较快的开关速度,适合高频应用。
  • 静电保护:
    • 内置 ESD 保护机制,增强了产品的鲁棒性。
  • 低栅极电荷:
    • 减少了开关过程中的能量损失,提高了整体效率。
  • 高电流能力:
    • ID(连续漏极电流)可达 2.2A(在 Ta=25°C 下),适用于较高负载的应用场景。

 

应用领域

  • 消费电子产品:
    • 如智能手机、平板电脑等便携式设备内的电源管理电路中作为开关元件使用。
  • 通信设备:
    • 在无线模块、路由器等网络设备中担任信号放大的角色。
  • 汽车电子系统:
    • 例如车身控制系统、安全气囊触发电路等对可靠性和性能要求较高的部位。
  • 工业自动化:
    • 包括电机驱动、传感器接口等领域,实现精确控制和高效转换。
  • 智能家居产品:
    • 在智能灯泡、插座等物联网终端里充当功率调节组件。

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