TPH4R50ANH,L1Q

芯片基本信息

• 制造商: TOSHIBA
• 型号: TPH4R50ANH
• 封装类型: SOP8 (Small Outline Package)
• 工作电压范围: 通常为 VDS(max) = 50V，具体取决于应用环境。
• 工作温度范围: 商业级一般为 -55°C 至 +150°C

主要功能

• N 沟道增强型 MOSFET: 设备能够根据栅极电压控制漏极和源极之间的导通状态，适用于开关电源、电机驱动等需要高效开关的应用。
• 低导通电阻 RDS(on): 在特定的工作条件下，具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高效率。
• 快速开关特性: 提供快速的开关速度，有助于减少开关损耗，适合高频操作环境。
• 高雪崩能量耐量: 具有良好的雪崩击穿能力，能够在过载或异常情况下提供一定的保护作用。
• 低栅极电荷 Qg: 减少了开关时的能量损失，有助于提升整体系统效率。
• 静电放电保护 (ESD Protection): 内置 ESD 保护电路，提高了器件在实际使用中的可靠性。

应用领域

• 消费电子: 如笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备中的电源管理单元，用于实现高效的 DC-DC 转换。
• 通信设备: 在基站电源、服务器电源模块中作为关键的功率开关元件，确保稳定可靠的电力供应。
• 工业控制: 用于可编程逻辑控制器 (PLC)、变频器、伺服驱动器等工业自动化设备中的开关电源部分，提供高效且稳定的电力转换。
• 汽车电子: 在电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的车载充电器、DC/DC 转换器中，负责高效率的电力传输与转换。
• 照明系统: LED 照明驱动电源中，用于精确控制电流，确保灯具的安全运行并延长其使用寿命。