MT47H64M16HR-25E:G

基本信息

• 制造商: Micron Technology (美光科技)
• 系列: DDR3 SDRAM
• 容量: 64Mb x 16 (即1GB)
• 速度等级: -25E 表示其工作频率为最高1600 Mbps (megabits per second)，CL（CAS Latency，列地址选通延迟）为11。
• 封装类型: BGA (Ball Grid Array, 球栅阵列封装)
• 工作电压: 标准DDR3的工作电压是1.5V。
• 工作温度范围: 商业级一般为0°C至85°C。
• 组织形式: 16 banks，每个bank有4K rows和1K columns。

主要功能

• 高速性能: DDR3 提供比DDR2更高的传输速度，支持更快的数据处理。
• 低功耗: 相较于DDR2，DDR3在降低功耗方面有所改进，有助于延长移动设备电池寿命或减少数据中心的能量消耗。
• 突发长度 (BL): 支持BL=4和BL=8两种突发长度，可以根据应用场景选择最合适的设置。
• 预充电所有命令 (Precharge All Command): 允许同时对所有banks进行预充电操作，提高了效率。
• 部分阵列自刷新 (Partial Array Self Refresh): 减少自刷新期间的功耗。
• 热传感器: 内置温度传感器可以监控芯片的工作温度，以优化功耗管理。

应用领域

• 消费电子产品: 包括智能手机、平板电脑和个人电脑等需要高性能内存的设备。
• 服务器和数据中心: 需要大量快速内存来支持多任务处理和大数据量运算的应用环境。
• 网络通信设备: 如路由器、交换机和其他需要高效能内存的网络基础设施。
• 嵌入式系统: 工业控制、汽车电子等领域中对可靠性和性能有严格要求的应用场景。