MT41K256M8DA-125:K

基本信息

• 型号: MT41K256M8DA-125:K
• 制造商: Micron (美光科技)
• 封装类型: BGA (Ball Grid Array)
• 工作电压: 1.2V (核心电压)，1.8V (I/O 电压)
• 工作温度范围: 商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C）
• 封装尺寸: 16mm x 18mm x 1.2mm (典型值)

主要功能

• 类型: DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
• 容量: 256 Mbit (32 MB)
• 组织结构: 8 Banks × 16 K Rows × 1 K Columns × 8 Bits
• 数据速率: 125 MHz (2500 MT/s)
• 接口标准: 符合 JEDEC DDR4 SDRAM 标准
• 预充电模式: 自动预充电
• 突发长度: 4, 8
• 延迟:
  • CL (CAS Latency): 11
  • tRCD (Row to Column Delay): 14 ns
  • tRP (Row Precharge Time): 14 ns
  • tRAS (Active to Precharge Delay): 31 ns
• 功耗特性:
  • 待机功耗: 极低，适合低功耗应用
  • 动态功耗: 优化的功耗管理，适合高性能应用

应用领域

• 消费电子:
  • 智能手机和平板电脑: 提供高速内存访问，支持复杂的图形处理和多任务操作。
  • 游戏设备: 支持高性能图形和流畅的游戏体验。
• 计算机系统:
  • 服务器和工作站: 提供高带宽和低延迟的内存访问，支持大数据处理和高性能计算。
  • 个人电脑: 支持多任务处理和高效的数据处理。
• 网络设备:
  • 路由器和交换机: 提供高速数据包处理和转发能力。
  • 网络安全设备: 支持高效的威胁检测和数据处理。
• 嵌入式系统:
  • 工业控制系统: 用于数据采集和实时控制。
  • 医疗设备: 支持高性能的数据处理和图像显示。