2SK2596BBBXTL-E

基本信息

• 型号: 2SK2596BBBXTL-E
• 厂家: Toshiba（东芝）
• 封装类型: SOT89 (Small Outline Transistor 89)
• 工作电压:
  • Vgs（栅源电压）范围：-10V 至 +10V
  • Vds（漏源电压）范围：-10V 至 +10V
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
• 引脚数: 3

主要功能

• 核心功能: 2SK2596BBBXTL-E 是一款N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。
• 电气参数:
  • Vdss（漏源击穿电压）: 100V
  • Id（连续漏极电流）: 16A（在Ta=25°C时）
  • Rds(on)（导通电阻）: 0.025Ω（在Vgs=10V时）
  • Qg（栅极电荷）: 65nC
  • Qgs（栅源电荷）: 15nC
  • Qgd（栅漏电荷）: 50nC
• 静态电流:
  • 极低的静态电流，适用于低功耗应用
• 开关速度:
  • 快速开关特性，适合高频应用

应用领域

• 消费电子:
  • 用于电源管理、电机驱动、电池充电器等电路中。
• 通信设备:
  • 在开关电源、DC-DC转换器、电源适配器等中作为开关元件。
• 工业控制:
  • 用于逆变器、伺服驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）等工业自动化设备。
• 汽车电子:
  • 在汽车电子系统中用于驱动继电器、LED灯、电动座椅等。
• 医疗设备:
  • 用于医疗仪器中的电源管理和控制电路。