1SS352(TH3,PP,F)
1SS352(TH3,PP,F)
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

1SS352(TH3,PP,F)

芯片基本信息

  • 型号: 1SS352 (TH3, PP, F)
  • 厂家: Toshiba Corporation
  • 封装类型: SOD-323
  • 工作电压:
    • 集电极-发射极电压 (Vce): 最大值为40V
    • 基极-发射极电压 (Vbe): 最大值为6V
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 引脚数: 3(SOD-323封装通常有3个引脚)

 

主要功能

  • 核心功能: 1SS352是一款NPN型双极晶体管,主要用于放大和开关应用。
  • 电流增益 (hFE):
    • 典型值为100,在IC = 10mA, VCE = 5V条件下。
  • 最大集电极电流 (IC):
    • 最大值为200mA。
  • 最大耗散功率 (Ptot):
    • 在Ta = 25°C条件下,最大值为350mW。
  • 过渡频率 (fT):
    • 典型值为250MHz。
  • 存储时间 (tstrg):
    • 典型值为20ns。

 

应用领域

  • 消费电子:
    • 在音频放大器、电源管理电路、传感器接口等设备中,用于信号放大和开关控制。
  • 通信设备:
    • 在射频前端、信号调理电路、调制解调器中,用于信号放大和开关控制。
  • 工业控制:
    • 在电机驱动、传感器接口、自动化控制系统中,用于信号放大和开关控制。
  • 医疗设备:
    • 在便携式医疗设备、监护仪、生物信号测量中,用于信号放大和开关控制。
  • 汽车电子:
    • 在车载音响系统、传感器接口、车身控制系统中,用于信号放大和开关控制。

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