HN2D02FU

芯片基本信息

• 型号: HN2D02FU
• 厂家: Toshiba（东芝）
• 封装类型: SOT-363 (SC-89)
• 工作电压:
  • VDS（漏源电压）: ±20V
• 工作温度范围: -55°C 至 +125°C
• 引脚数: 6

主要功能

• 核心功能: 这是一款N沟道增强型MOSFET，适用于各种开关应用，如电源管理、信号切换等。其特点是低导通电阻，有助于减少电力损耗。
• 导通电阻(Rds(on)): 在VGS = 10V时，最大导通电阻约为2.0mΩ（毫欧），这表明在导通状态下的能量损失非常小，能够有效提升系统的能效。
• 最大连续漏极电流(ID): 最大值可达12A，在正常工作条件下可以承受较大的电流负载。
• 最大脉冲漏极电流(IDM): 最大值可达24A，适合短时间内的大电流冲击。
• 接口类型: SOT-363封装尺寸小，便于集成到紧凑型设计中，同时保持良好的电气性能和热稳定性。

应用领域

• 消费电子: 在便携式电子设备如智能手机、平板电脑的充电模块中，作为电源管理的关键组件，确保高效稳定的电源供应。
• 工业控制: 适用于工业自动化系统中的电机驱动、电源转换等场合，实现精准控制和高效能转换。
• 汽车电子: 在车载电子系统中，如电池管理系统、车身控制系统中，用于开关控制和保护电路，确保车辆电子系统的可靠运行。
• 通信设备: 在通信基础设施如基站、交换机中，作为电源管理和信号切换的元件，提高系统的稳定性和可靠性。