1SS309(TE85L,F)
1SS309(TE85L,F)
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

1SS309(TE85L,F)

芯片基本信息

  • 型号: 1SS309 (TE85L, F)
  • 厂家: Toshiba(东芝)
  • 封装类型: SOT753 (小型晶体管封装)
  • 工作电压: 最大集电极-发射极电压 VCEO​ 为50V
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 引脚数: 3

 

主要功能

  • 核心功能: 1SS309是一款NPN型双极性晶体管,主要用于信号放大和开关应用。它的高增益和低饱和电压使其在多种电路中表现出色。
  • 处理速度: 由于其较快的开关速度,适合用于高频信号的放大和开关操作。
  • 功耗特性: 低功耗设计,适用于需要长时间工作的电路。
  • 接口类型: 通过标准的SOT753封装引脚连接到电路板上,易于集成到各种电路设计中。
  • 保护功能: 内置过热保护机制,能够在过热情况下自动关断,保护晶体管不受损坏。

 

应用领域

  • 消费电子: 如音频放大器、遥控器、家用电器等设备中的信号放大和开关控制。
  • 工业控制: 在工业自动化设备中,用于控制传感器、继电器和其他外设的开关,提高系统的响应速度和稳定性。
  • 汽车电子: 在汽车内部的电子系统中,用于控制各种电气设备的开关和信号放大,确保安全可靠的运行。
  • 通信设备: 在无线通信设备、调制解调器等中,用于信号放大和开关控制,保证信号的传输质量。

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