CMS03(TE12L,PP,Q)

基本信息

• 型号: CMS03(TE12L,PP,Q)
• 制造商: TOSHIBA
• 封装类型: SMD（表面贴装器件）
• 制造工艺: 半导体制造工艺，通常为硅基。
• 工作电压:
  • 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 典型值为 30V
  • 集电极-基极击穿电压 (VCBO): 典型值为 45V
  • 发射极-基极击穿电压 (VEBO): 典型值为 6V
• 最大功耗 (Ptot): 典型值为 350mW
• 工作温度范围:
  • 存储温度: -65°C to +150°C
  • 工作结温: -55°C to +150°C

主要功能

• 功能: CMS03(TE12L,PP,Q) 是一种 NPN 型小信号晶体管，常用于放大和开关电路中。
• 高增益 (hFE): 典型值为 100 至 300，确保良好的信号放大能力。
• 低饱和电压 (VCE(sat)): 典型值为 0.2V（@ IC = 10mA, IB = 1mA），确保低功耗和高效能。
• 高速开关特性: 典型开关时间为几纳秒，适用于高速开关应用。
• 低噪声: 适用于对噪声敏感的电路，如音频放大器。
• 静电放电 (ESD) 保护: 内置 ESD 保护，提高芯片的可靠性和耐用性。

应用领域

• 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于信号放大和开关控制。
• 通信设备: 如调制解调器、路由器、基站等，用于信号处理和放大。
• 计算机及外设: 如USB设备、打印机等，用于信号传输和控制。
• 汽车电子: 如车载娱乐系统、车载信息系统等，用于信号放大和控制。
• 工业控制: 如传感器网络、数据采集系统等，用于信号放大和控制。
• 物联网 (IoT) 设备: 如智能家庭设备、环境监测设备等，用于信号放大和控制。