RN1101(TE85L)

基本信息

• 型号: RN1101(TE85L)
• 制造商: TOSHIBA
• 封装类型: SOT23-3
• 制造工艺: 先进的 CMOS 工艺
• 工作电压:
  • 供电电压 (VCC): 1.8V 至 5.5V
• 最大功耗 (Ptot): 取决于工作条件和负载，但通常非常低
• 工作温度范围:
  • 存储温度: -65°C to +150°C
  • 工作结温: -40°C to +125°C
• 封装尺寸: SOT23-3 封装，具体尺寸为 2.9mm x 1.6mm x 1.15mm

主要功能

• 低功耗肖特基二极管: RN1101 是一款低功耗肖特基二极管，具有非常低的正向电压降 (VF) 和反向漏电流 (IR)。
• 低正向电压降 (VF): 典型值为 0.28V（@ IF=10mA），确保低功耗和高效信号传输。
• 低反向漏电流 (IR): 典型值为 0.1μA（@ VR=5V, TA=25°C），确保在反向偏置时的低泄漏电流。
• 快速恢复时间: 典型值为 4ns（@ IF=10mA, IR=100μA），适用于高频应用。
• 高可靠性: 内置静电放电 (ESD) 保护，提高芯片的可靠性和耐用性。
• 小型封装: SOT23-3 封装体积小巧，适合空间受限的应用场合。

应用领域

• 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理、信号整流和保护。
• 通信设备: 用于电源管理和信号整流，如无线模块、路由器等。
• 医疗设备: 用于电源管理和信号整流，如便携式健康监测设备等。
• 工业控制: 用于电源管理和信号整流，如传感器、执行器等。
• 汽车电子: 用于电源管理和信号整流，如车载充电器、传感器等。
• 物联网 (IoT) 设备: 用于各种传感器节点和智能设备，提供高效的电源管理和信号整流能力。