2SK1830(TE85L,F)

基本信息

• 型号: 2SK1830 (TE85L,F)
• 制造商: Toshiba
• 封装类型: SOT-423 (也称为 SC-89)
• 制造工艺: MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)
• 工作电压:
  • VDS (漏源电压): 最大 100V
  • VGS (栅源电压): ±20V
• 最大连续漏极电流 (ID): 1.5A
• 最大功耗 (Ptot): 1.1W
• 工作温度范围:
  • 存储温度: -65°C to +150°C
  • 工作结温: -55°C to +150°C
• 封装尺寸: 大约 3.0mm x 3.0mm x 1.1mm

主要功能

• 低导通电阻: 在 VGS=10V 时，RDS(on) 最大值为 1.6Ω，这意味着该 MOSFET 在导通状态下具有较低的功率损耗。
• 高速开关特性: 适用于需要快速开关操作的应用场合，能够有效减少开关损耗。
• 高耐压能力: 最大漏源电压为 100V，适用于高压环境下的应用。
• 小尺寸封装: 有助于提高电路板上的空间利用率，适用于对体积有严格要求的设计。

应用领域

• 消费电子产品: 如手机充电器、便携式设备中的电源转换和管理。
• 工业控制: 包括电机驱动、逆变器、开关电源等，特别是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。
• 汽车电子: 用于车身电子系统、电池管理系统(BMS)、LED照明等，满足汽车级的严格要求。
• 通信设备: 适用于各种通信基础设施中的电源模块，确保系统的稳定运行。