CSD25483F4T

基本信息

• 型号: CSD25483F4T
• 制造商: Texas Instruments (TI)
• 封装类型: 3-XFDFN (Extended Flat No-Lead Package)
• 类型: N沟道增强型MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

技术规格

• 最大漏极电流 (ID): 12 A
• 最大漏源电压 (VDS): 30 V
• 栅极阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 2.0 V
• 导通电阻 (RDS(on)): 典型值 3.5 mΩ @ VGS = 10 V
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
• 封装尺寸: 3-XFDFN (3.0 mm x 3.0 mm x 0.8 mm)
• 封装引脚数: 8引脚

主要功能

• 高电流承载能力: 最大漏极电流达 12 A，适用于大电流应用。
• 低导通电阻: 典型导通电阻仅为 3.5 mΩ，显著降低功率损耗，提高效率。
• 宽工作温度范围: 可在极端温度下稳定工作，适用于各种环境。
• 小封装: 3-XFDFN 封装小巧，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
• 低栅极阈值电压: 低栅极阈值电压使得驱动更加容易，降低驱动电路复杂度。

特性

• 高效能: 低导通电阻和高电流承载能力使其在大电流应用中表现出色。
• 可靠性: 宽工作温度范围和高耐压能力确保在严苛环境下稳定工作。
• 易用性: 低栅极阈值电压和简单封装设计，便于集成到各种电路中。
• 成本效益: 小巧的封装和高效的性能，降低了整体系统成本。

应用领域

• 电源管理: 用于开关电源、DC-DC 转换器、线性稳压器等，需要高效能和低功耗的开关元件。
• 电机控制: 用于大型电机驱动、伺服电机控制等，需要高可靠性和低功耗的开关元件。
• 电池管理系统: 用于电动汽车、储能系统等，需要高效管理和保护电池组。
• 消费电子: 用于高性能计算设备、游戏机、高端音频设备等，需要高效能和可靠性的开关元件。
• 工业控制: 用于工业自动化设备、机器人、传感器节点等，需要高可靠性和多种通信接口。