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原装现货 SI7686DP-T1-E3 VISHAY 分立半导体产品

文章来源:本站 发布时间:2019-05-29 分享:

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI7686DP-T1-E3

描述

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单

系列 TrenchFET®

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 9.5 毫欧 @ 13.8A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1220pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 5W(Ta),37.9W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

封装/外壳 PowerPAK® SO-8



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